PP9585 Insulated gate bipolar transistor IGBT Fuji 2DI50Z-100 AJ328 Mit einer Nennstromstärke von 25A

Mit einer Nennstromstärke von 25A ist dieser 3-polige Leistungsschalter ideal für die Absicherung von Maschinen und elektrischen Anlagen

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PP9585 Insulated gate bipolar transistor IGBT Fuji 2DI50Z-100 AJ328 Mit einer Nennstromstärke von 25ADer PP9585 Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Fuji 2DI50Z 100 ist eine zuverlssige Wahl fr industrielle Anwendungen. Dieses gebrauchte Modul stammt aus der Zerlegung eines Motorreglers und war bis zur Demontage in vollem Betrieb. Der IGBT bietet eine hervorragende Leistung und Effizienz, ideal fr Anwendungen in der Leistungselektronik. Hochleistungsfhigkeit: Mit einer maximalen Stromstrke von 50A und einer Spannungsfestigkeit von bis zu 1000V